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エニーレイヤー基板(M-VIA Ⅲ)

超微細加工が可能なレーザー技術やフィルドめっき技術などを組み合わせた全層自由接続の基板です。設計の自由度が高く、高密度化できるため、スマートフォンをはじめとする高性能デバイス機器の小型化・薄型化などのニーズに最適な基板です。

エニーレイヤー基板(M-VIA Ⅲ)

特徴

  • 全層レーザービアおよびフィルドめっきによるエニーレイヤー基板
  • 全層自由接続により薄型、0.4mmピッチCSPに対応可能
  • モバイル機器向けに10層 M-VIA III(エニーレイヤー基板)量産

用途

  • スマートフォン
  • ウェアラブルデバイス
  • デジタルカメラ
  • デジタルビデオカメラ
  • 小型モバイル機器など

断面図

10層 M-VIA III
エニーレイヤー基板( M-VIA III)

構造例

10層 M-VIA III
10層 M-VIA III

デザインルール

単位:μm
項目 記号 標準仕様 ファイン仕様
パターン/スペース ビルドアップ層 A / A' 75 / 75 50 / 50
貫通スルーホール ドリル径 B 300 250
ランド径 外層 C 550 450
内層 D 600 500
レーザービア ビア径 E 100 75
ビアランド径 F 250 220
層間厚み ビルドアップ層 G 60 40
コア層 H 60 50
基板厚み 6層 I 440
8層 590
10層 740
  • 上記は設定値であり、将来断りなく変更する場合があります

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