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ビルドアップ基板(M-VIA Ⅰ・Ⅱ)

絶縁層上に導体パターンを作成した後に、レーザー技術やめっき技術などを用いて一層ずつ積み重ねていく多層基板です。各層の接続部分の上にも配線ができるため、一般的な多層貫通基板よりも高密度化、高集積化が可能です。限られたスペースに高密度の配線を必要とする機器に使用されます。

ビルドアップ基板(M-VIA Ⅰ・Ⅱ)

特徴

  • スタガードビアおよびスタックビアによるビルドアップ基板
  • レーザービア、IVH、貫通スルーホールとの自由な組み合わせが可能

用途

  • 携帯電話
  • 小型モバイル機器
  • カーナビ
  • デジタルカメラ
  • デジタルビデオカメラ
  • 複合機など

断面図

M-VIA I(スタガードビア)
M-VIA I(スタガードビア)
M-VIA II(スタック)
M-VIA II(スタックビア)

構造例

M-VIA I(スタガードビア)
M-VIA I(スタガードビア)
M-VIA II(スタック)
M-VIA II(スタックビア)

デザインルール

単位:μm
項目 記号 標準仕様 ファイン仕様
パターン/スペース ビルドアップ層 A / A' 75 / 75 50 / 50
コア層 B / B' 75 / 75 50 / 50
貫通スルーホール ドリル径 C 300 250
ランド径 外層 D 550 450
内層 E 600 500
IVH ドリル径 F 250 200
ランド径 外層 G 500 400
内層 H 500 450
レーザービア ビア径 I 100 75
ビアランド径 J 250 220
層間厚み ビルドアップ層 K 60 40
コア層 L 100 60
  • 上記は設定値であり、将来断りなく変更する場合があります

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